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零件图片(仅供参考)
PSMN9R1-30YL,115
规格参数
  • NXP恩智浦完整型号:PSMN9R1-30YL,115
  • 制造厂家名称:NXP Semiconductors
  • 描述:MOSFET N-CH 30V 57A LFPAK
  • 系列:TrenchMOS?
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):57A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):9.1 毫欧 @ 15A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.15V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):16.7nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):894pF @ 15V
  • 功率 - 最大值:52W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:SC-100,SOT-669,4-LFPAK
  • 供应商器件封装:LFPAK56, Power-SO8
  • PSMN9R1-30YL,115,NXP(恩智浦)产品一站式供应商。
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    基本参数:
  • 电子零件型号:PSMN9R1-30YL,115
  • 原始制造厂商:NXP(恩智浦)
  • 技术标准参数:MOSFET N-CH 30V 57A LFPAK
  • 产品应用分类:单端场效应管
  • 点击此处查询PSMN9R1-30YL,115的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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