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零件图片(仅供参考)
PSMN8R5-100ESQ
规格参数
  • NXP恩智浦完整型号:PSMN8R5-100ESQ
  • 制造厂家名称:NXP Semiconductors
  • 描述:MOSFET N-CH 100V 100A I2PAK
  • 系列:-
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:标准
  • 漏源极电压 (Vdss):100V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):100A(Tj)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):8.5 毫欧 @ 25A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):111nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):5512pF @ 50V
  • 功率 - 最大值:263W
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA
  • 供应商器件封装:I2PAK
  • PSMN8R5-100ESQ,NXP(恩智浦)产品一站式供应商。
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    基本参数:
  • 电子零件型号:PSMN8R5-100ESQ
  • 原始制造厂商:NXP(恩智浦)
  • 技术标准参数:MOSFET N-CH 100V 100A I2PAK
  • 产品应用分类:单端场效应管
  • 点击此处查询PSMN8R5-100ESQ的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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