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零件图片(仅供参考)
PSMN2R4-30MLDX
规格参数
  • NXP恩智浦完整型号:PSMN2R4-30MLDX
  • 制造厂家名称:NXP Semiconductors
  • 描述:MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
  • 系列:-
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:逻辑电平栅极,4.5V 驱动
  • 漏源极电压 (Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):70A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):2.4 毫欧 @ 25A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):51nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3264pF @ 15V
  • 功率 - 最大值:91W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:SOT-1210, 8-LFPAK33 (5 根引线)
  • 供应商器件封装:LFPAK33
  • PSMN2R4-30MLDX,NXP(恩智浦)产品一站式供应商。
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    基本参数:
  • 电子零件型号:PSMN2R4-30MLDX
  • 原始制造厂商:NXP(恩智浦)
  • 技术标准参数:MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
  • 产品应用分类:单端场效应管
  • 点击此处查询PSMN2R4-30MLDX的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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