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PSMN2R0-30YLDX 零件图片（仅供参考）

PSMN2R0-30YLDX
NXP 订单到达，马上发货

PSMN2R0-30YLDX 规格参数

  • NXP恩智浦完整型号: PSMN2R0-30YLDX
  • 制造商：NXP（恩智浦半导体）
  • 功能总体简述: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
  • 系列: -
  • FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能: 逻辑电平栅极，4.5V 驱动
  • 漏源极电压（Vdss）: 30V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 100A（Tc）
  • 不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 2 毫欧 @ 25A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2.2V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 46nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 2969pF @ 15V
  • 功率 - 最大值: 142W
  • 安装类型: *
  • 封装/外壳: SC-100，SOT-669，4-LFPAK
  • 供应商器件封装: LFPAK56，Power-SO8
  • PSMN2R0-30YLDX，NXP（恩智浦）产品一站式供应商。
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PSMN2R0-30YLDX 基本参数：

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