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PMZB200UNEYL 零件图片（仅供参考）

PMZB200UNEYL
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PMZB200UNEYL 规格参数

  • NXP恩智浦完整型号: PMZB200UNEYL
  • 制造商：NXP（恩智浦半导体）
  • 功能总体简述: MOSFET N-CH 30V SOT883
  • 系列: -
  • FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能: 标准
  • 漏源极电压（Vdss）: 30V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 1.4A（Ta）
  • 不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 250 毫欧 @ 1.4A，4.5V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 950mV @ 250A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 2.7nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 89pF @ 15V
  • 功率 - 最大值: 350mW
  • 安装类型: 表面贴装
  • 封装/外壳: 3-XFDFN
  • 供应商器件封装: DFN1006B-3
  • PMZB200UNEYL，NXP（恩智浦）产品一站式供应商。
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PMZB200UNEYL 基本参数：

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