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零件图片（仅供参考）
PMWD19UN,518
规格参数
  • 制造商产品型号：PMWD19UN,518
  • 制造商：NXP USA Inc.
  • 描述：MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 产品系列：TrenchMOS?
  • 零件状态：停产
  • FET类型：2 N-通道（双）
  • FET功能：逻辑电平门
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：5.6A
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：23 毫欧 @ 3.5A，4.5V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：700mV @ 1mA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：28nC @ 5V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1478pF @ 10V
  • 功率-最大值：2.3W
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）
  • PMWD19UN,518，NXP（恩智浦）产品一站式供应商。
    • 只为成为您值得信赖的NXP供应商
    基本参数：
  • 电子零件型号：PMWD19UN,518
  • 原始制造厂商：NXP（恩智浦）
  • 技术标准参数：MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 点击此处查询PMWD19UN,518的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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