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PMV45EN2R 零件图片（仅供参考）

PMV45EN2R
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PMV45EN2R 规格参数

  • NXP恩智浦完整型号: PMV45EN2R
  • 制造商：NXP（恩智浦半导体）
  • 功能总体简述: MOSFET N-CH 30V SOT23
  • 系列: -
  • FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能: 逻辑电平门
  • 漏源极电压（Vdss）: 30V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 4.1A（Ta）
  • 不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 42 毫欧 @ 4.1A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2V @ 250A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 6.3nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 209pF @ 15V
  • 功率 - 最大值: 510mW
  • 安装类型: 表面贴装
  • 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商器件封装: TO-236AB（SOT23）
  • PMV45EN2R，NXP（恩智浦）产品一站式供应商。
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PMV45EN2R 基本参数：

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