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零件图片(仅供参考)
PMV32UP,215
规格参数
  • NXP恩智浦完整型号:PMV32UP,215
  • 制造厂家名称:NXP Semiconductors
  • 描述:MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23
  • 系列:-
  • FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss):20V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):4A(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):36 毫欧 @ 2.4A,4.5V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):15.5nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1890pF @ 10V
  • 功率 - 最大值:510mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商器件封装:SOT-23 (TO-236AB)
  • PMV32UP,215,NXP(恩智浦)产品一站式供应商。
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    基本参数:
  • 电子零件型号:PMV32UP,215
  • 原始制造厂商:NXP(恩智浦)
  • 技术标准参数:MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23
  • 产品应用分类:单端场效应管
  • 点击此处查询PMV32UP,215的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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