PMPB13XNE,115（NXP 恩智浦，单端场效应管，6-DFN2020MD）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

NXP恩智浦完整型号：PMPB13XNE,115

制造厂家名称：NXP Semiconductors

描述：MOSFET N-CH 30V 8A 6DFN

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：8A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：16 毫欧 @ 8A， 4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：900mV @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：36nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2195pF @ 15V

功率 - 最大值：1.7W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-UDFN 裸露焊盘

供应商器件封装：6-DFN2020MD （2x2）

PMPB13XNE,115，NXP（恩智浦）产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：PMPB13XNE,115

原始制造厂商：NXP（恩智浦）

技术标准参数：MOSFET N-CH 30V 8A 6DFN

产品应用分类：单端场效应管

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