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PMPB13XNE,115 零件图片（仅供参考）

PMPB13XNE,115
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PMPB13XNE,115 规格参数

  • NXP恩智浦完整型号：PMPB13XNE,115
  • 制造商：NXP（恩智浦半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 30V 8A 6DFN
  • 系列：-
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss)：30V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：8A（Ta）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：16 毫欧 @ 8A， 4.5V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：900mV @ 250A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：36nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2195pF @ 15V
  • 功率 - 最大值：1.7W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：6-UDFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装：6-DFN2020MD （2x2）
  • PMPB13XNE,115，NXP（恩智浦）产品一站式供应商。
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PMPB13XNE,115 基本参数：

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