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零件图片(仅供参考)
PMPB13XNE,115
规格参数
  • NXP恩智浦完整型号:PMPB13XNE,115
  • 制造厂家名称:NXP Semiconductors
  • 描述:MOSFET N-CH 30V 8A 6DFN
  • 系列:-
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):8A(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):16 毫欧 @ 8A, 4.5V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):36nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2195pF @ 15V
  • 功率 - 最大值:1.7W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装:6-DFN2020MD (2x2)
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    基本参数:
  • 电子零件型号:PMPB13XNE,115
  • 原始制造厂商:NXP(恩智浦)
  • 技术标准参数:MOSFET N-CH 30V 8A 6DFN
  • 产品应用分类:单端场效应管
  • 点击此处查询PMPB13XNE,115的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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