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PMGD280UN,115 零件图片（仅供参考）

PMGD280UN,115
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PMGD280UN,115 规格参数

  • NXP恩智浦完整型号：PMGD280UN,115
  • 制造商：NXP（恩智浦半导体）
  • 描述：MOSFET 2N-CH 20V 0.87A 6TSSOP
  • 系列：TrenchMOS
  • FET 类型：2 个 N 沟道（双）
  • FET 功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss)：20V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：870mA
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：340 毫欧 @ 200mA，4.5V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：0.89nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：45pF @ 20V
  • 功率 - 最大值：400mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
  • 供应商器件封装：6-TSSOP
  • PMGD280UN,115，NXP（恩智浦）产品一站式供应商。
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PMGD280UN,115 基本参数：

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