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PMDXB600UNEZ 零件图片（仅供参考）

PMDXB600UNEZ
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PMDXB600UNEZ 规格参数

  • NXP恩智浦完整型号：PMDXB600UNEZ
  • 制造商：NXP（恩智浦半导体）
  • 描述：MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
  • 系列：TrenchFET
  • FET 类型：2 个 N 沟道（双）
  • FET 功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss)：20V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：600mA
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：620 毫欧 @ 600mA， 4.5V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：950mV @ 250A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：0.7nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：21.3pF @ 10V
  • 功率 - 最大值：265mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：6-XFDFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装：6-DFN （1.1x1）
  • PMDXB600UNEZ，NXP（恩智浦）产品一站式供应商。
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PMDXB600UNEZ 基本参数：

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