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零件图片(仅供参考)
PMDPB42UN,115
规格参数
  • 制造商产品型号:PMDPB42UN,115
  • 制造商:NXP USA Inc.
  • 描述:MOSFET 2N-CH 20V 3.9A HUSON6
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 产品系列:-
  • 零件状态:停产
  • FET类型:2 N-通道(双)
  • FET功能:逻辑电平门
  • 漏源电压(Vdss):20V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):3.9A
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):50 毫欧 @ 3.9A,4.5V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):3.5nC @ 4.5V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):185pF @ 10V
  • 功率-最大值:510mW
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:6-UDFN
  • PMDPB42UN,115,NXP(恩智浦)产品一站式供应商。
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    基本参数:
  • 电子零件型号:PMDPB42UN,115
  • 原始制造厂商:NXP(恩智浦)
  • 技术标准参数:MOSFET 2N-CH 20V 3.9A HUSON6
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 点击此处查询PMDPB42UN,115的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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