PHKD6N02LT,518 零件图片（仅供参考）
PHKD6N02LT,518 规格参数
- NXP恩智浦完整型号：PHKD6N02LT,518
- 制造商：NXP（恩智浦半导体）
- 描述：MOSFET 2N-CH 20V 10.9A SOT96-1
- 系列：TrenchMOS
- FET 类型：2 个 N 沟道（双）
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss)：20V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：10.9A
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：20 毫欧 @ 3A，5V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：15.3nC @ 5V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：950pF @ 10V
- 功率 - 最大值：4.17W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装：8-SO
- PHKD6N02LT,518，NXP（恩智浦）产品一站式供应商。
