PHKD3NQ10T,518 零件图片（仅供参考）
PHKD3NQ10T,518 规格参数
- NXP恩智浦完整型号：PHKD3NQ10T,518
- 制造商：NXP（恩智浦半导体）
- 描述：MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC
- 系列：TrenchMOS
- FET 类型：2 个 N 沟道（双）
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss)：100V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：3A
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：90 毫欧 @ 1.5A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：21nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：633pF @ 20V
- 功率 - 最大值：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装：8-SO
- PHKD3NQ10T,518，NXP（恩智浦）产品一站式供应商。
