PHK04P02T,518（NXP 恩智浦，单端场效应管，8-SO）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

NXP恩智浦完整型号：PHK04P02T,518

制造商：NXP（恩智浦半导体）

描述：MOSFET P-CH 16V 4.66A 8-SOIC

系列：-

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：16V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：4.66A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：120 毫欧 @ 1A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：600mV @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：7.2nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：528pF @ 12.8V

功率 - 最大值：5W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SO

PHK04P02T,518，NXP（恩智浦）产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：PHK04P02T,518

原始制造厂商：NXP（恩智浦）

技术标准参数：MOSFET P-CH 16V 4.66A 8-SOIC

产品应用分类：单端场效应管

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