PHD101NQ03LT,118 零件图片（仅供参考）
PHD101NQ03LT,118 规格参数
- NXP恩智浦完整型号：PHD101NQ03LT,118
- 制造商：NXP（恩智浦半导体）
- 描述：MOSFET N-CH 30V 75A DPAK
- 系列：TrenchMOS
- FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss)：30V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：75A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：5.5 毫欧 @ 25A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：23nC @ 5V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2180pF @ 25V
- 功率 - 最大值：166W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商器件封装：DPAK
- PHD101NQ03LT,118，NXP（恩智浦）产品一站式供应商。
