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PDTB123ET,215 零件图片（仅供参考）

PDTB123ET,215
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PDTB123ET,215 规格参数

  • NXP恩智浦完整型号：PDTB123ET,215
  • 制造商：NXP（恩智浦半导体）
  • 描述：TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB
  • 系列：-
  • 晶体管类型：PNP - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500mA
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）：50V
  • 电阻器 - 基底 (R1) (Ω)：2.2k
  • 电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω)：2.2k
  • 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：40 @ 50mA，5V
  • 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：300mV @ 2.5mA，50mA
  • 电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
  • 频率 - 跃迁：-
  • 功率 - 最大值：250mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商器件封装：SOT-23 (TO-236AB)
  • PDTB123ET,215，NXP（恩智浦）产品一站式供应商。
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PDTB123ET,215 基本参数：

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