BUK9Y6R0-60E,115 零件图片（仅供参考）
BUK9Y6R0-60E,115 规格参数
- NXP恩智浦完整型号：BUK9Y6R0-60E,115
- 制造商：NXP（恩智浦半导体）
- 描述：MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK
- 系列：TrenchMOS
- FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss)：60V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：100A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：5.2 毫欧 @ 25A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 1mA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：39.4nC @ 5V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：6319pF @ 25V
- 功率 - 最大值：195W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SC-100，SOT-669，4-LFPAK
- 供应商器件封装：LFPAK56， Power-SO8
- BUK9Y6R0-60E,115，NXP（恩智浦）产品一站式供应商。
