BUK9K89-100E,115 零件图片（仅供参考）
BUK9K89-100E,115 规格参数
- NXP恩智浦完整型号：BUK9K89-100E,115
- 制造商：NXP（恩智浦半导体）
- 描述：MOSFET 2N-CH 100V 12.5A LFPAK56D
- 系列：TrenchMOS
- FET 类型：2 个 N 沟道（双）
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss)：100V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：12.5A
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：85 毫欧 @ 5A, 10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 1mA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：16.8nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1108pF @ 25V
- 功率 - 最大值：38W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOT-1205， 8-LFPAK56
- 供应商器件封装：LFPAK56D
- BUK9K89-100E,115，NXP（恩智浦）产品一站式供应商。
