BUK7K6R8-40E,115 零件图片（仅供参考）
BUK7K6R8-40E,115 规格参数
- NXP恩智浦完整型号：BUK7K6R8-40E,115
- 制造商：NXP（恩智浦半导体）
- 描述：MOSFET 2N-CH 40V 40A LFPAK56D
- 系列：TrenchMOS
- FET 类型：2 个 N 沟道（双）
- FET 功能：标准
- 漏源极电压 (Vdss)：40V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：40A
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：6.8 毫欧 @ 20A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：28.9nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1947pF @ 25V
- 功率 - 最大值：64W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOT-1205， 8-LFPAK56
- 供应商器件封装：LFPAK56D
- BUK7K6R8-40E,115，NXP（恩智浦）产品一站式供应商。
