BUK7K5R6-30E,115（NXP 恩智浦，场效应管阵列，LFPAK56D）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

NXP恩智浦完整型号：BUK7K5R6-30E,115

制造商：NXP（恩智浦半导体）

描述：MOSFET 2N-CH 30V 40A LFPAK56D

系列：TrenchMOS

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：40A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：5.6 毫欧 @ 25A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：29.7nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1969pF @ 25V

功率 - 最大值：64W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-1205， 8-LFPAK56

供应商器件封装：LFPAK56D

BUK7K5R6-30E,115，NXP（恩智浦）产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：BUK7K5R6-30E,115

原始制造厂商：NXP（恩智浦）

技术标准参数：MOSFET 2N-CH 30V 40A LFPAK56D

产品应用分类：场效应管阵列

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