PMDXB1200UPEZ（NXP 恩智浦，FET

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零件图片（仅供参考）

规格参数

NXP恩智浦完整型号: PMDXB1200UPEZ

制造厂家名称: NXP Semiconductors

功能总体简述: MOSFET P-CH 30V DUAL DFN1010B-6

系列: -

FET 类型: 2 个 P 沟道（双）

FET 功能: 标准

漏源极电压（Vdss）: 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 410mA

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 1.4 欧姆 @ 410mA，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 950mV @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 1.2nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 43.2pF @ 15V

功率 - 最大值: 285mW

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: 6-XFDFN 裸露焊盘

供应商器件封装: DFN1010B-6

PMDXB1200UPEZ，NXP（恩智浦）产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：PMDXB1200UPEZ

原始制造厂商：NXP（恩智浦）

技术标准参数：MOSFET P-CH 30V DUAL DFN1010B-6

产品应用分类：FET - 阵列

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