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零件图片（仅供参考）
PHKD6N02LT,518
规格参数
  • NXP恩智浦完整型号：PHKD6N02LT,518
  • 制造厂家名称：NXP Semiconductors
  • 描述：MOSFET 2N-CH 20V 10.9A SOT96-1
  • 系列：TrenchMOS?
  • FET 类型：2 个 N 沟道（双）
  • FET 功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss)：20V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：10.9A
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：20 毫欧 @ 3A，5V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：15.3nC @ 5V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：950pF @ 10V
  • 功率 - 最大值：4.17W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商器件封装：8-SO
  • PHKD6N02LT,518，NXP（恩智浦）产品一站式供应商。
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    基本参数：
  • 电子零件型号：PHKD6N02LT,518
  • 原始制造厂商：NXP（恩智浦）
  • 技术标准参数：MOSFET 2N-CH 20V 10.9A SOT96-1
  • 产品应用分类：场效应管阵列
  • 点击此处查询PHKD6N02LT,518的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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