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零件图片(仅供参考)
PHC2300,118
规格参数
  • NXP恩智浦完整型号:PHC2300,118
  • 制造厂家名称:NXP Semiconductors
  • 描述:MOSFET N/P-CH 300V 8SOIC
  • 系列:-
  • FET 类型:N 和 P 沟道
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss):300V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):340mA,235mA
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):6 欧姆 @ 170mA,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):6.24nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):102pF @ 50V
  • 功率 - 最大值:1.6W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SO
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    基本参数:
  • 电子零件型号:PHC2300,118
  • 原始制造厂商:NXP(恩智浦)
  • 技术标准参数:MOSFET N/P-CH 300V 8SOIC
  • 产品应用分类:场效应管阵列
  • 点击此处查询PHC2300,118的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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