PH1930AL,115（NXP 恩智浦，单端场效应管，LFPAK56）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

NXP恩智浦完整型号：PH1930AL,115

制造厂家名称：NXP Semiconductors

描述：MOSFET N-CH TRENCH 30V LFPAK

系列：TrenchMOS?

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：100A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：2 毫欧 @ 15A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.15V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：64nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：3980pF @ 12V

功率 - 最大值：97W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SC-100，SOT-669，4-LFPAK

供应商器件封装：LFPAK56， Power-SO8

PH1930AL,115，NXP（恩智浦）产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：PH1930AL,115

原始制造厂商：NXP（恩智浦）

技术标准参数：MOSFET N-CH TRENCH 30V LFPAK

产品应用分类：单端场效应管

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